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400-183-6682
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公司地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)花園B座16B
工廠地址：東莞市塘廈鎮(zhèn)沿塘路6號(hào)101室
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：120A 接觸阻抗（初始）：＜0.5mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：8.0kg±20%(5.0mm)
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：120A 接觸阻抗（初始）：＜0.5mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：7.5kg±20%(5.0mm)
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：120A 接觸阻抗（初始）：＜0.5mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：6.0kg±20%(5.0mm)
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：120A 接觸阻抗（初始）：＜0.5mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：6.0kg±20%(5.0mm) 可調(diào)高度：10mm
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：60A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥9.0mm 建議工作行程：3.0kg±20%(5.0mm)
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：60A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：3.0kg±20%(5.0mm) 可調(diào)高度：10mm
所屬分類：特殊大電流探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：60A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：6.0kg±20%(5.0mm)
所屬分類：化成分容探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：60A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥12.0mm 建議工作行程：9.6kg±20%(5.0mm)
所屬分類：化成分容探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：30A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥7.0mm 建議工作行程：4.0kg±20%(5.0mm)
所屬分類：化成分容探針 訂購熱線：400-183-6682 材質(zhì)：合金銅 表面處理：鎳底局部鍍金 技術(shù)參數(shù)： 機(jī)械壽命： ≥30000 次 工作溫度： -40℃/+105℃ 額定電流：30A 接觸阻抗（初始）：1.0mΩ 最大壓縮行程： ≥10.0mm 建議工作行程：3.0kg±20%(5.0mm)
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探針測(cè)試行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)（1）設(shè)備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導(dǎo)體器件主要通過提高集成度的方式實(shí)現(xiàn)更多功能或更快響應(yīng)。為此，半導(dǎo)體制造過程一般會(huì)縮小器件特征尺寸，如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級(jí)別縮小至納米級(jí)別，最小已達(dá)3納米；在光電芯片中，最小的Micro LED尺寸也已經(jīng)縮小至50μm以下。此外，為避免器件集成度提高后單位制造成本過度上漲，業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓，通過在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本，目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸，逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
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